产品中心PRDUCTS
- 【OFweek 2024中国国际汽车电子大会】深圳村田电子贸易(深圳)有限公司电
- 行业洞察丨可穿戴医疗器械行业现状及发展趋势概述
- 国博电子申请层叠型电子器件、集成式滤波器和电子装置专利能够明显改善器件加工工艺误
- 北京时代民芯申请一种电子器件热-电-力-浓度场多场耦合仿真方法和系统专利解决现有
- 同济大学祖国庆课题组AFM综述: 可拉伸气凝胶和泡沫用于柔性电子器件及其他领域
技术支持RECRUITMENT
元器件 - OFweek电子工程网
2024-01-20 08:06:54
米兰体育官方入口元器件是电子电路中的基本元素,通常是个别封装,并具有两个或以上的引线或金属接点。电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路,例如:放大器、无线电接收机、振荡器等,连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。电子元件也许是单独的封装(电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极查看详情
在人工智能(AI)时代快速发展背景下,AI服务器凭借其强大的算力成为当前技术应用的重要基础设备,市场需求和规模不断扩大,预示着AI服务器及其相关产业链将迎来更大的发展机遇。AI服务器市场持续增长目前,全球AI服务器市场规模持续增长,受到云计算、大数据、AIGC等需求的推动
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件, 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管,扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 - 代表着下一代电源系统未来的,氮化镓
Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件
三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势,此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能,并产生较低的热量加利福尼亚
Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统
使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件,使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻,且拥有更高的性能和效率。加利福尼亚州戈莱塔 - 2023 年 10月 12日 - 新世代电力系统的未来,氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商Transphorm
ROHM推出全新Power Stage IC:可替代Si MOSFET,器件体积减少99%
近年来,为了实现可持续发展的社会,对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求,GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下,全球知名